Корпорация Samsung сообщает, что успешно победила все препятствия на пути к внедрению 10-нм техпроцесса FinFET второго поколения и сейчас его можно использовать в массовом производстве микроэлектроники. Речь идёт о техпроцессе класса LPP (Low Power Plus), какой отлично подходит для производства различных процессоров и прочих чипов для планшетов, смартфонов и прочих экономичных конструкций, но не очень годится для создания мощных процессоров для ПК и серверов. Такое деление технологических процессов одной размерности на две группы, одна из каких ориентирована на экономичность и дешевизну, а вторая на сложность и производительность, возникло уже довольно давно.
Samsung 10LPP: всё идёт по плану
Новый техпроцесс Samsung 10LPP воображает собой доработку более раннего процесса 10LPE (Low Power Early), какой был использован в производстве таких решений, как мобильная платформа Qualcomm Snapdragon 835 и 48-ядерный сетевой процессор Centriq 2400. Ну и, разумеется, Samsung не была бы собой, если бы не использовала собственный техпроцесс в первую очередь для производства новейшего мобильного процессора собственной разработки — Exynos 8895. Процесс 10LPP обеспечивает 10 % прироста производительности в сравнении с 10LPE, либо, при равновеликой производительности, до 15 % снижения энергопотребления.
Даже с учётом старого техпроцесса 10LPE возможности Exynos 8895 выглядят впечатляюще
Улучшения не чересчур заметные, но с учётом сферы применения таких техпроцессов, а это, в основном, мобильные конструкции, питающиеся от аккумуляторов (а заметной революции в создании сверхъёмких батарей так и не случилось, несмотря на многочисленные победные реляции), здесь каждый милливатт на счету. Да и с учётом замедления поступки закона Мура даже 10 % годового прироста производительности выглядят недурно. Следующим в планах Samsung значится техпроцесс 10LPU, который станет убавленной версией процесса 14LPU. Компания надеется с его помощью снизить стоимость производства, но сделается ли он основой для мощных процессоров, неизвестно. Возможно, будет выпущена ещё одна версия 10-нм техпроцесса специально для этой мишени. Samsung Electronics не отступается и от планов освоения 7-нм технологических норм, для чего по-прежнему планирует использовать экстремальный ультрафиолет (EUV, длина валы 121‒10 нм).
